经由雷射/电子束描绘机将线路图描绘在石英/玻璃基板上,此基板(光罩),会借曝光机投影成像技术,将其线路图成像到晶圆或玻璃基板上。
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扩散及薄膜(Diffusion & Thin Film)
用途广泛,应用于扩散、趋入、氧化、薄膜沉积、退火、热烧结
可分为常压、低压沉积、原子层薄膜沉积
离子植入(Ion Implanter)
离子布植:利用电场,将游离的原子或分子加速后,直接射入晶圆的过程
掺杂:在晶圆中加入其他元素,改变材料的导电特性
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湿蚀刻
利用药液,将晶圆表面上的图形,做选择性地去除
可分为多反应槽式、单槽式、单晶圆式
清洁
要制作精密的硅晶圆产品,需要非常洁净的表面,才能质量极佳化
光阻涂布:去水烘烤、HMDS涂布、光阻涂布、软烤
曝光:以曝光机搭配光罩使用
显影:曝后烤、显影、硬烤
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利用气体作为反应物,以低压和高能的环境产生电浆,去除硅晶圆表面的薄膜,定义出图形。
可分为物理性、化学性、活性离子。
将晶片表面之突出部分,藉由机械抛光方式除去,也可选择部分抛光。
抛光期间会添加研磨浆料及化学物质,增加抛光率与平坦度。
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对晶圆做各项的测试,确定设计与制程的质量好坏,晶圆出厂前的最后一道防线。
需要测试机,针测机,探针卡三者一体,才能使用。
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制程检测 (Process Metrology)
测量各制程机台的制程参数,如薄膜厚度、关键尺寸线宽、多层图案对准、蚀刻深度、材料电性与物性等。
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环境监测 – 气体性分子污染物检测 (Airborne Molecular Contamination Monitoring)
侦测与监控无尘室内环境之可能VOC (Volatile Organic Compounds) 污染源,包括污染气体、制程反应逸散、设备材料本身挥发产生及设备维护过程气体挥发等
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环境监测 – 气体性分子污染物检测 (Airborne Molecular Contamination Monitoring)
侦测与监控无尘室内环境之可能VOC (Volatile Organic Compounds) 污染源,包括污染气体、制程反应逸散、设备材料本身挥发产生及设备维护过程气体挥发等
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以磁控溅射镀膜方式于晶圆表面进行金属镀膜
利用光学投影成像或直接光刻,将电路图案复印至覆盖晶圆表面的光阻材料,以达成图案化。
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电镀是一种电化学沉积过程,经由电解反应把一种金属镀于另一种金属物体的表面。
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贴合:将两片不同功能的晶圆,经对准及贴合技术,使晶片彼此之间完成贴合;在应用上则区分永久性贴合及暂时性贴合。
剥离:将装置晶圆(Device Wafer)暂时地贴合到一个载具晶圆(Carrier Wafer)上,助其后制程的晶圆薄化处理,完成后制程序之后接续进行剥离程序。
将已切好的晶片放置在IC基板上,相连之黏着,要求的是黏着的速度,正确度。
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Fluxless Thermo-Compression Bonder & AXI+
无须助焊剂热压接合粘合剂黏合机及其检测
植球将锡球(Solder)植入 IC 脚垫(Pad) 。
回流焊:透过热处理程序熔化焊料,使锡球完全接合于焊垫。
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Fluxless Thermo-Compression Bonder & AXI+
无须助焊剂热压接合粘合剂黏合机及其检测
晶圆表面缺陷检测:
利用光学取得晶圆表面影像,辅以电脑影像处理技术来检出异物或图案异常等瑕疵。
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